宇治原 徹
原田 俊太

マテリアル理工学専攻

宇治原研究室

劇的な省エネ効果が期待される、次世代SiC（シリコンカーバイト）パワーデバイスを実現するためには、結晶の高品質化が危急の課題となっています。我々の研究室では、溶液成長法に着目をして、高品質SiC結晶成長の研究を行っています。SiC結晶には品質低下をもたらす、様々な欠陥が存在します。その一つ一つが、どのように導入されるのかを明らかにし、結晶成長プロセスにフィードバックすることで、世界最高品質のSiC結晶成長の実現を目指しています。