シリアルNo.
平成15年度名古屋大学工学研究科「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」
研究開発テーマ (シーズ) |
高出力GaN系HEMTの研究 |
技術分野(該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎ |
研究段階(該当に○) |
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〔 〕材料(No )、 〔 〕バイオテクノロジー(No )、 〔○〕情報通信(No12) 〔 〕機械(No )、 〔 〕 医療・福祉(No )、 〔 〕 エネルギー(No ) 〔 〕環境(No )、 〔 〕 その他(No ) |
基礎 応用 |
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a |
b |
c |
d |
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○ |
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キーワード(5つ以内) |
GaN、 HEMT、 高出力、トランジスタ |
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提案者職名・氏名 |
所属機関名(機関名・学部・研究室名) |
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教授・水谷 孝 |
工学研究科・量子工学専攻・量子デバイス工学講座 |
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電 話 |
052-789-5230 |
E– mail |
tmizu@nuee.nagoya-u.ac.jp |
FAX |
052-789-5230 |
ホームページ |
http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/mizutakalab/ |
[研究成果があり、公開可能な技術シーズ]
研究開発の目的 (研究の目的、最終的な事業化分野) |
目的:高周波・高出力トランジスタの開発 事業化分野:無線基地局、放送局、自動車など |
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研究開発の内容(概要) (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください) |
バンドギャップが大きく原理的に高電圧動作が可能なGaN系トランジスタであるが、現状では結晶性、表面準位に起因する動作不安定やゲートリーク電流など問題は多い。我々は電流DLTSやKFM(ケルビンプローブ顕微鏡)などを用いて結晶特性とデバイス特性の関係を調べるとともに,その結果を踏まえ、問題を解決する新しい素子構造の提案/実証を行っている。 |
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新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に) |
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KFMによる動作中のデバイスにおけるデバイス内電位分布測定技術 ・
電流DLTSによる実デバイスにおける結晶性評価技術 ・
顕微ラマン分光を用いた素子の温度分布測定技術 ・
SiN絶縁膜を用いたMIS-HEMTの提案 ゲートリーク電流の低減、電流不安定の抑止の実証 |
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地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等) |
本地域には材料、デバイスや装置メーカーとしてGaN系デバイスに関連する企業も多く、本研究は地域産業界へのインパクトも大きい。 |
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実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等) |
共同研究相手:材料メーカー、デバイスメーカー、装置メーカーなど 実用化までの期間:3年 |
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関 連 工業所有権 |
発明(考案)等の名称 |
発明者 |
出願人 |
外国出願 |
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〔 〕有 〔 〕無 |
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注意事項: @ 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。
A 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています
ので非公開情報の欄は「非公開」とのみ御記入下さい。