シリアルNo.
平成15年度名古屋大学工学研究科「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」
研究開発テーマ (シーズ) |
C-Au-S 量子ドットの作成と評価 |
技術分野(該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎ |
研究段階(該当に○) |
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〔○〕材料(No05)、 〔 〕バイオテクノロジー(No )、〔◎〕情報通信(No12) 〔 〕機械(No )、 〔 〕 医療・福祉(No )、 〔 〕 エネルギー(No ) 〔 〕環境(No )、 〔 〕 その他(No ) |
基礎 応用 |
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a |
b |
c |
d |
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○ |
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キーワード(5つ以内) |
C-Au-S量子ドット、プラズマCVD、スパッタリング、STM、AFM |
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提案者職名・氏名 |
所属機関名(機関名・学部・研究室名) |
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助教授・森田慎三 |
工学研究科・電子工学専攻・電子材料物性講座 |
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電 話 |
052-789-5722 |
E– mail |
morita@nuee.nagoya-u.ac.jp |
FAX |
052-789-5723 |
ホームページ |
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[研究成果があり、公開可能な技術シーズ]
研究開発の目的 (研究の目的、最終的な事業化分野) |
新しいSET素子の提案 |
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研究開発の内容(概要) (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください) |
プラズマCVDとスパッタリングを同時に行う方法で、炭素、金、硫黄(C-Au-S) 膜を作成した。X線回折、ESCA、屈折率測定から、C-Au-Sが導電性粒状分子 となっていることを確認。平坦なSi基板上の1nm厚膜のSTM、AFM観測によって量子ドットを観測。ナノインシュレーションベッドによるデバイス特性評価を目指している。 |
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新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に) |
プラズマCVD、スパッタリング協同プロセスによるC-Au-S膜の作成、C-Au-Sが導電性粒状分子となっていること、平坦なSi基板上の1nm厚膜のSTM、AFM観測によって量子ドットの観測は、全て新規な成果で、独創的な手法の提案。ナノインシュレーションベッドによるデバイス特性評価も新しい手 法の提案。 |
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地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等) |
材料や、物理現象としての新規性は認められるが、実用性は不明。したが って、地域への波及効果は不明。 |
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実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等) |
実用性は不明。 |
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関 連 工業所有権 |
発明(考案)等の名称 |
発明者 |
出願人 |
外国出願 |
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化合物薄膜、及び化合物薄膜の作成方法 |
森田慎三、松下雅樹 |
名古屋大学総長 |
〔○ 〕有 〔 〕無 |
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注意事項: @ 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。
A 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています
ので非公開情報の欄は「非公開」とのみ御記入下さい。