シーズNo.1
平成１５年度名古屋大学工学研究科「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」
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研究開発テーマ （シーズ） |
薄膜積層型新規バリスター |
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技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎ |
研究段階（該当に○） |
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〔○〕材料（No０４）、 〔 〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No ）、 〔 〕情報通信（No ） 〔 〕機械（No ）、 〔 〕 医療・福祉（No ）、 〔 〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No ） 〔 〕環境（No ）、 〔 〕 その他（No ） |
基礎 応用 |
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ａ |
ｂ |
ｃ |
ｄ |
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○ |
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キーワード(５つ以内) |
バリスター、薄膜、化学溶液法 |
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提案者職名・氏名 |
所属機関名（学部・研究室名） |
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教授・平野眞一 |
工学研究科・応用化学専攻・無機材料化学講座 |
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電 話 |
052-789-3343 |
Ｅ– mail |
hirano@apchem.nagoya-u.ac.jp |
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FAX |
052-789-3182 |
ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ |
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研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野） |
シリコン系デバイスのチップに直接集積化でき、サージ電圧からデバイスを保護する新規なバリスターの開発。 |
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研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください) |
低温で薄膜の積層が可能であり、かつ中間層としての半導体酸化物薄膜のプロセス化が可能な化学溶液前駆体分子の合成と絶縁体層によるサンドイッチ構造の創製。 |
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新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に) |
比較的低温でかつ真空系を必要としない条件下で、シリコン系デバイスに一体的に集積化したバリスター機能素子であり、チップ・オン・デバイスとしてサージからの回路保護機能を有するシステムである。 |
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地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等) |
各種の集積型デバイスに一体化することが可能であり、多用なサージから回路を保護するシステムへの応用性は大きく、デバイス、電子部品産業での用途は広い。 |
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実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等) |
製造条件の基本と特性評価はほぼ終えている。 |
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関 連 工業所有権 |
発明（考案）等の名称 |
発明者 |
出願人 |
外国出願 |
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〔 〕有 〔 〕無 |
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注意事項： ① 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。
② 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています
ので非公開情報の箇所は「非公開」と御記入下さい。