シーズNo.　８１　

平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」

研究開発テーマ （シーズ）

高出力GaN系HEMTの開発

技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎		研究段階（該当に○）
〔　〕材料（No　　）、 〔　〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No　　）、 〔○〕情報通信（No12） 〔　〕機械（No　　）、 〔　〕 医療・福祉（No　　）、 〔　〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No　　） 〔　〕環境（No　　）、 〔　〕 その他（No　　）		基礎　 　　　 応用
			ａ	ｂ	ｃ	ｄ
					○
キーワード(５つ以内)	GaN、 HEMT、 高出力、トランジスタ

提案者職名・氏名		所属機関名（機関名・学部・研究室名）
教授・水谷　孝		名古屋大学工学研究科 量子工学専攻 量子ナノデバイス工学研究グループ
電　話	052-789-5230	Ｅ– mail	tmizu@ieee.org
FAX	052-789-5230	ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ	http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/mizutakalab/

［研究成果があり、公開可能な技術シーズ］

研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野）		目的：高周波・高出力トランジスタの開発 事業化分野：無線基地局、放送局、自動車など
研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください)		バンドギャップが大きく原理的に高電圧動作が可能なGaN系トランジスタであるが、現状では結晶性、表面準位に起因する動作不安定やゲートリーク電流など問題は多い。我々は電流DLTSやKFM(ケルビンプローブ顕微鏡)などを用いて結晶特性とデバイス特性の関係を調べるとともに，その結果を踏まえ、問題を解決する新しい素子構造の提案／実証を行っている。
新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に)		・ KFMによる動作中のデバイスにおけるデバイス内電位分布測定技術 ・ 電流DLTSによる実デバイスにおける結晶性評価技術 ・ 顕微ラマン分光を用いた素子の温度分布測定技術 ・ ZrO2絶縁膜を用いたMIS-HEMT作製技術 　　　ゲートリーク電流の低減、電流不安定の抑止の実証
地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等)		本地域には材料、デバイスや装置メーカーとしてGaN系デバイスに関連する企業も多く、本研究は地域産業界へのインパクトも大きい。
実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等)		共同研究相手：材料メーカー、デバイスメーカー、装置メーカーなど 実用化までの期間：3年
関　　連 工業所有権	発明（考案）等の名称		発明者	出願人	外国出願
	電界効果トランジスタ、及び電界効果トランジスタの作製方法		水谷　孝	名古屋大学長	〔　〕有 X〔　〕無

　注意事項：　�@ 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。

　　　　　　　�A 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています

　　　　　　 　　ので非公開情報の欄は「非公開」とのみ御記入下さい。