シーズNo.　７５　

平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」

研究開発テーマ （シーズ）

C-Au-S 量子ドットの作成と評価

技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎		研究段階（該当に○）
〔○〕材料（No０５）、 〔　〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No　　）、〔◎〕情報通信（No１２） 〔　〕機械（No　　）、 〔　〕 医療・福祉（No　　）、 〔　〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No　　） 〔　〕環境（No　　）、 〔　〕 その他（No　　）		基礎　　　　　　　 応用
			ａ	ｂ	ｃ	ｄ
			○
キーワード(５つ以内)	C-Au-S量子ドット、プラズマCVD、スパッタリング、STM、AFM

提案者職名・氏名		所属機関名（機関名・学部・研究室名）
助教授・森田慎三		名古屋大学工学研究科 電子情報システム専攻 電子工学分野 スピンエレクトロニクス研究グループ
電　話	052-789-5722	Ｅ– mail	morita@nuee.nagoya-u.ac.jp
FAX	052-789-5723	ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ

［研究成果があり、公開可能な技術シーズ］

研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野）		新しいSET素子の提案
研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください)		プラズマCVDとスパッタリングを同時に行う方法で、炭素、金、硫黄（C-Au-S） 膜を作成した。X線回折、ESCA、屈折率測定から、C-Au-Sが導電性粒状分子 となっていることを確認。平坦なSi基板上の１ｎｍ厚膜のSTM、AFM観測によって量子ドットを観測。ナノインシュレーションベッドによるデバイス特性評価を目指している。
新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に)		プラズマCVD、スパッタリング協同プロセスによるC-Au-S膜の作成、C-Au-Sが導電性粒状分子となっていること、平坦なSi基板上の１ｎｍ厚膜のSTM、AFM観測によって量子ドットの観測は、全て新規な成果で、独創的な手法の提案。ナノインシュレーションベッドによるデバイス特性評価も新しい手 法の提案。
地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等)		材料や、物理現象としての新規性は認められるが、実用性は不明。したが って、地域への波及効果は不明。
実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等)		実用性は不明。
関　　連 工業所有権	発明（考案）等の名称		発明者	出願人	外国出願
	化合物薄膜、及び化合物薄膜の作成方法		森田慎三、松下雅樹	名古屋大学総長	〔○　〕有 　〔　〕無

　注意事項：　�@ 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。

　　　　　　　�A 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています

　　　　　　 　　ので非公開情報の欄は「非公開」とのみ御記入下さい。