シーズNo.　６９　

平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」

研究開発テーマ （シーズ）

シリコン基板上への窒化物デバイスの集積化

技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎		研究段階（該当に○）
〔　〕材料（No　　）、 〔　〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No　　）、 〔○〕情報通信（No.12） 〔　〕機械（No　　）、 〔　〕 医療・福祉（No　　）、 〔　〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No　　） 〔　〕環境（No　　）、 〔　〕 その他（No　　）		基礎　 　　　 応用
			ａ	ｂ	ｃ	ｄ
			○
キーワード(５つ以内)	窒化物半導体、シリコン基板、フラットパネルディスプレイ、イメージセンサ

提案者職名・氏名		所属機関名（学部・研究室名）
教授・澤木宣彦		名古屋大学大学院工学研究科 電子情報システム専攻 電子工学分野 ナノ情報デバイス研究グループ
電　話	052-789-3321	Ｅ– mail	sawaki@nuee.nagoya-u.ac.jp
FAX	052-789-3157	ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ

研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野）		シリコン基板上に窒化物半導体（GaNおよびその化合物）による微細光デバイス（ミクロンオーダーの発光あるいは受光素子）を作製する技術を研究開発する。また、これらデバイスの集積化を図り、高精細な画像情報処理装置（ディスプレイ、イメージセンサ等）や高密度電子源を作製する技術を研究開発する。
研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください)		窒化物半導体は大きなエネルギーバンドギャップを有し、可視光から紫外線領域の広い範囲での光デバイスに適用できる。しかし、結晶成長技術・結晶加工技術が未熟で、集積デバイスの開発は行われていない。本研究では、シリコン基板上への窒化物単結晶の選択再成長技術を応用して、大面積なシリコン基板上への微細ダイオー等の微細デバイスアレイの作製技術を開発し、高精細画像情報処理装置の開発につなげる。
新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に)		窒化物半導体の作製は従来技術ではサファイアあるいは窒化珪素基板上への成長に限られている。このため、微細加工が困難で集積デバイスは不可能であった。我々の提案する方法では、選択再成長法によってシリコン基板上に直接デバイスを作りつけることが可能で、集積化が容易である。また、微細デバイスを基板上に直接作製することから作製コストの低減がはかられる。
地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等)		高精細画像処理装置は、ディスプレイとしては、医用画像情報、地理情報などの高精細表示装置として、病院、航空機、自動車等に利用可能で、高精細イメージセンサーとしては、航空機、自動車等の安全運行に利用可能であり、自動車、航空機等の分野で産業の活性化につながる。また、高輝度フルカラーディスプレイは、高精細・高輝度携帯端末、高密度電子源は工業用電子源としての活用が可能で、関連産業の活性化につながる。
実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等)
関　　連 工業所有権	発明（考案）等の名称		発明者	出願人	外国出願
	半導体素子構造、電子エミッタ、及び半導体素子構造の作製方法		澤木宣彦、本田善中央	名古屋大学長	〔○〕有 　〔　〕無

　注意事項：　�@ 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。

　　　　　　　�A 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています

　　　　　　 　　ので非公開情報の箇所は「非公開」と御記入下さい。