シーズNo. ４３
平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」
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研究開発テーマ （シーズ） |
電子線反射防止膜カーボンナノベルベット |
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技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎。 |
研究段階（該当に○） |
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〔○〕材料（No０４）、 〔 〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No ）、 〔 〕情報通信（No ） 〔 〕機械（No ）、 〔 〕医療・福祉 （No ）、 〔 〕ｴﾈﾙｷﾞｰ （No ） 〔 〕環境（No ）、 〔 〕その他 （No ） |
基礎 応用 |
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ａ |
ｂ |
ｃ |
ｄ |
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○ |
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キーワード(５つ以内) |
電子線，二次電子，カーボンナノチューブ，表面加工 |
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提案者職名・氏名 |
所属機関名（機関名・学部・研究室名） |
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教授･齋藤弥八 |
名古屋大学大学院工学研究科 量子工学専攻 ナノ構造解析学研究グループ |
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電 話 |
052-789-4459 |
e-mail |
ysaito@surf.nuqe.nagoya-u.ac.jp |
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ＦＡＸ |
052-789-3703 |
ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ |
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［研究成果があり、公開可能な技術シーズ］
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研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野） |
電子線描画装置，電子線分析装置などの電子線機器において，電子線の経路にある金属表面に入射してくる電子線の反射および二次電子の発生を抑え，散乱電子，浮遊電子の数を低減させることにより，一次電子ビーム以外からの電子の寄与を抑制することにより，電子線装置における位置分解能およびエネルギー分解能の向上など性能の改善に寄与できる。 |
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研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください) |
本技術は金属表面を高密度で垂直配向したカーボンナノチューブ膜（「カーボンナノベルベット(carbon nanovelvet)」と名付ける）で被覆することにより，該表面に入射してくる電子を捕捉し，表面からの反射電子および二次電子の放出を抑制できるというものである。
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新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に) |
従来の電子線反射防止膜の二次電子放出率が約0.2であったのに対し、本発明では0.06にまで低下させることを可能にした。 |
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地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等) |
本技術を真空電子機器や電子線分析機器等に利用することにより、電子ビームの経路におけるチャージアップが抑えられるので、電子装置の動作を安定させることができる。 |
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実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等) |
化学気相成長(CVD)法によりステンレス基板等の表面を実際にカーボンナノベルベット加工し，その表面の二次電子放出率が著しく低下する事を実証した。ライセンス先としては，電子線応用機器メーカー，電子機器メーカーが予想される。 |
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関 連 産業財産権 |
発明（考案）等の名称 |
発明者 |
出願人 |
外国出願 |
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電子反射制御材及びその製造方法 |
齋藤弥八 |
（株）三重ティーエルオー |
〔 〕有 〔○〕無 |
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