シーズNo. 42
平成16年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」
研究開発テーマ (シーズ) |
カーボンナノチューブの製造方法及び配列構造の形成方法 |
技術分野(該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎。 |
研究段階(該当に○) |
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〔○〕材料(No04)、 〔 〕バイオテクノロジー(No )、 〔 〕情報通信(No ) 〔 〕機械(No )、 〔 〕医療・福祉 (No )、 〔 〕エネルギー (No ) 〔 〕環境(No )、 〔 〕その他 (No ) |
基礎 応用 |
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a |
b |
c |
d |
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○ |
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キーワード(5つ以内) |
カーボンナノチューブ,化学気相成長,プラスマ,固体表面 |
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提案者職名・氏名 |
所属機関名(機関名・学部・研究室名) |
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教授・齋藤弥八 |
名古屋大学大学院工学研究科 量子工学専攻 ナノ構造解析学研究グループ |
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電 話 |
052-789-4459 |
e-mail |
ysaito@surf.nuqe.nagoya-u.ac.jp |
FAX |
052-789-3703 |
ホームページ |
[研究成果があり、公開可能な技術シーズ]
研究開発の目的 (研究の目的、最終的な事業化分野) |
次世代ナノ電子デバイス,ディスプレイ用電子源,電池電極材料,水素貯蔵材料などへの利用が期待されているカーボンナノチューブ(CNT)を固体基板上に成長させる技術の開発を目的とする。CNTはその用途により,要求される直径,層数,成長密度が異なるので,これらに対応できる技術開発を行う。 |
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研究開発の内容(概要) (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください) |
化学気相成長(CVD)法により種々の固体基板(金属,半導体,ガラスなど)の表面にCNTを直接成長させる。メタン,アセチレン,アルコールなどの炭素源ガスを熱CVDおよびプラズマCVD法により分解し,金属触媒の作用によりCNTを成長させる。この触媒金属を基板表面に予めパターニングしておけば,CNTの成長位置を制御できる。また,炭素源ガス,触媒,反応温度などのパラメータを調整することにより,成長するCNTの直径,層数,成長形態を制御する。 |
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新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に) |
従来のゼオライト,酸化マグネシウムなどの多孔性の紛体状の担体を必要とせず,金属電極,半導体基板表面に直接CNTを成長させることが出来る優位性がある。また,従来のプラズマCVD法では困難であった,直径の細い多層CNTを製造することが出来る。この細い多層CNTは,層数が2から4層程度であり,電界放出素材として最適の構造を持つ。 |
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地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等) |
本技術により,必要とされる層数,直径,配向性を持つ高品質のCNTを基板上の必要な場所に直接成長させることが出来る。これはCNTを使った次世代エレクトロニクスデバイス,化学・バイオセンサ,冷陰極,エネルギー貯蔵材料などの開発に必要不可欠の技術であり,低消費電力で環境調和型のデバイスを実現することが出来る。 |
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実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等) |
RFプラズマCVD,熱CVD法によりシリコン基板,ステンレス基板などの表面に,直径を制御したCNTを成長させることに成功し,固体基板表面の特定の場所にCNTをパターンニング成長させることも実証した。ライセンス先としては,電子線応用機器メーカー,電子機器メーカー,バイオ・医療機器開発メーカーが予想される。 |
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関 連 産業財産権 |
発明(考案)等の名称 |
発明者 |
出願人 |
外国出願 |
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1) カーボンナノチューブの製造方法 2) ナノカーボン材料配列構造の形成方法 |
1) 齋藤弥八ほか 2) 佐藤英樹,齋藤弥八ほか |
1) (株)ウエキコーポレーションほか 2) (株)三重ティーエルオー |
1) 〔 〕有 〔○〕無 2) 〔 〕有 〔○〕無 |
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注意事項: @ 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。
A 掲載していただく技術シーズは、シーズ集、ホームページ等での公開を前提に記載して
いただいておりますので、非公開情報の欄は「非公開」とのみ御記入下さい。