シーズNo.　３９　

平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」

研究開発テーマ （シーズ）

半導体中の不純物が形成する構造のEXAFS法による解析

技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎		研究段階（該当に○）
〔○〕材料(No.02,05)、 〔　〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No　）、 〔○〕情報通信(No.12,13) 〔　〕機械（No　　）、 〔　〕 医療・福祉（No　　）、 〔　〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No　　） 〔　〕環境（No　　）、 〔　〕 その他（No　　）		基礎　 　　　 応用
			ａ	ｂ	ｃ	ｄ
				○
キーワード(５つ以内)	EXAFS測定、近可視域光検出、半導体、微量不純物原子

提案者職名・氏名		所属機関名（機関名・学部・研究室名）
教　授・竹田美和 助教授・田渕雅夫 助　手・大渕博宣		名古屋大学大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 ナノ材料デバイス研究グループ 名古屋大学・ベンチャー･ビジネス･ラボラトリー 名古屋大学大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 ナノ材料デバイス研究グループ
電　話	052-789-5430	Ｅ– mail	tabuchi@vbl.nagoya-u.ac.jp
FAX	052-789-5430	ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ	http://mars.numse.nagoya-u.ac.jp/f6

［研究成果があり、公開可能な技術シーズ］

研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野）		半導体材料の特性は、そこに意図的に添加される不純物原子の種類により変化するが、同時に原子が半導体結晶中に占める位置、形成する構造によっても変化する。このため、半導体材料に新しい性質を与えそれを制御するには、半導体中の不純物原子の位置までを正確に把握する必要がある。このための技術としてEXAFS測定法を発展させていく。
研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください)		EXAFS法では物質のX線吸収を測定する。現実には吸収量に比例する様々な量を測定するEXAFS法が利用されている。半導体材料の研究のためには、母体の原子密度に対して5〜6桁低い密度で添加された不純物を測定する必要があり、この目的のためには蛍光X線を検出する方法が有力である。さらに可視域近くの発光を検出する方法を新しく取り入れ、半導体中の極微量不純物原子の位置や周辺構造を解析する。
新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に)		可視域近くの発光を検出するEXAFS法を、半導体中の微量不純物原子の測定を行う手法として提案する。この方法では、従来の蛍光X線を検出する方法の測定可能濃度下限を越えられる可能性があり、半導体中の微量不純物原子の存在位置、形成する局所構造等を測定する手法としてのEXAFSの応用範囲を大きく広げることができると考えられる。
地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等)		本技術は、高機能高付加価値の半導体デバイス作製を行う際に、基礎となる材料の性質を適切に制御していく上で非常に重要である。半導体材料作製技術は、すべての半導体産業の根幹にあるもので、この分野での新技術の開発は産業的に大きな波及効果を持つものと考えられる。
実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等)		蛍光X線を検出するEXAFS測定により半導体中の微量不純物原子の測定が可能で、材料の特性を検討する上で重要なことはこれまで検証してきている。新たな測定技術によりその適用範囲を広げることを目指す。半導体デバイス開発等を行っている企業や使いやすいソフトを開発できる企業との連携が望まれる。実用化は2〜3年の範囲で可能。
関　　連 工業所有権	発明（考案）等の名称		発明者	出願人	外国出願
	発光素子用ErドープGaAs結晶及びその製造方法		竹田美和、田渕雅夫、園山貴広、槇英信、小川和男	科学技術振興事業団	〔　〕有 　〔○〕無