シーズNo. ３８
平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」
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研究開発テーマ （シーズ） |
X線CTR散乱測定による結晶構造界面の原子層単位での評価 |
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技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎ |
研究段階（該当に○） |
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〔◎〕材料(No.02,05)、〔 〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No ）、〔○〕情報通信(No.12,13) 〔 〕機械（No ）、 〔 〕 医療・福祉（No ）、 〔 〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No ） 〔 〕環境（No ）、 〔 〕 その他（No ） |
基礎 応用 |
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ａ |
ｂ |
ｃ |
ｄ |
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○ |
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キーワード(５つ以内) |
X線CTR散乱測定、半導体、薄膜多層構造、原子レベル解析 |
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提案者職名・氏名 |
所属機関名（機関名・学部・研究室名） |
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教 授・竹田美和 助教授・田渕雅夫 |
名古屋大学工学研究科 結晶材料工学専攻 ナノ材料デバイス研究グループ 名古屋大学･ベンチャー･ビジネス･ラボラトリー |
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電 話 |
052-789-5430 |
Ｅ– mail |
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FAX |
052-789-5430 |
ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ |
http://mars.numse.nagoya-u.ac.jp/f6 |
［研究成果があり、公開可能な技術シーズ］
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研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野） |
X線CTR散乱測定を用いて、半導体デバイスの基礎となる薄膜多層結晶の界面構造を原子層単位で解析する技術を確立する。これにより量子構造デバイス等の様に原子層単位で厚さや組成分布の制御された超薄膜を必要とするデバイスの作製に高い再現性を得ることができる。作製したデバイスの特性と構造との間の根本的な関係を探ることが可能となり、意図した性能を得られない場合の原因究明ができる。 |
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研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください) |
半導体薄膜多層結晶の構造解析技術としてX線CTR散乱測定を確立するとともに、半導体デバイス構造のX線CTR散乱測定を行うのに最適な測定装置の開発を進める。半導体デバイス開発・製造の幅広い局面で利用可能なものとするため、簡便な装置を開発し、測定時間の短縮化も目指す。同時に、測定結果の解析技術を向上し、複雑なデバイス構造の解析を可能なものとする。 |
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新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に) |
X線CTR散乱測定及び解析には技術と知識の蓄積が必要で、半導体薄膜多層構造の界面構造解析に使われることは、他にほとんど例が無い。同技術を持ってすれば、半導体結晶の界面構造を原子層単位で解析することができ、これと比較できる原子層単位での構造に関するデータを出せる他の測定手法自体がほとんど存在しない。 |
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地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等) |
本技術は、高機能高付加価値の半導体デバイス、特に量子効果を利用するようなデバイスの作製を行う際に、非常に有用である。このようなデバイスは、様々な製品の中核的な機能を担うキーデバイスとなるため、これを基礎とした産業の発展が見込まれる。 |
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実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等) |
X線CTR散乱測定自体が半導体薄膜多層結晶の評価に有用なことは実証されている。今後必要なことは、これを企業の開発・製造の現場で使用可能なレベルに改良することで、測定機器開発、半導体デバイス開発等を行っている会社との連携が望まれる。実用化は2～3年の範囲で可能。 |
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関 連 工業所有権 |
発明（考案）等の名称 |
発明者 |
出願人 |
外国出願 |
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〔 〕有 〔 〕無 |
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