シーズNo.　３７　

平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」

研究開発テーマ （シーズ）

AsやPを含む半導体素子およびその製造方法

技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎		研究段階（該当に○）
〔◎〕材料（No02）、 〔　〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No　　）、 〔○〕情報通信（No12） 〔　〕機械（No　　）、 〔　〕 医療・福祉（No　　）、 〔　〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No　　） 〔　〕環境（No　　）、 〔　〕 その他（No　　）		基礎　 　　　 応用
			ａ	ｂ	ｃ	ｄ
						○
キーワード(５つ以内)	半導体、有機金属気相エピタキシャル法、異種�X族ヘテロ界面、GaInP/GaAs、GaInAs/InP

提案者職名・氏名		所属機関名（機関名・学部・研究室名）
教　授･竹田　美和 助教授･宇治原　徹		名古屋大学工学研究科 結晶材料工学専攻 ナノ材料デバイス研究グループ 名古屋大学工学研究科 結晶材料工学専攻 ナノ材料デバイス研究グループ
電　話	052-789-3368	Ｅ– mail	ujihara@numse.nagoya-u.ac.jp
FAX	052-789-3239	ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ	http://mars.numse.nagoya-u.ac.jp/f6/

［研究成果があり、公開可能な技術シーズ］

研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野）		GaInP/GaAsやGaInAs/InPなど、異なる�X族元素からなる�V-�X族半導体ヘテロ構造はレーザや発光ダイオードなどの光デバイスはもちろんのこと、情報流通ネットワークを支える電子デバイスにおいて極めて重要な位置を占めています。しかしながら、このようなヘテロ構造、特にヘテロ界面を急峻に形成することは困難であるため、界面構造が不明のまま辛うじてデバイス特性を得ているのが現状で、将来展開にはこの点を克服することが必要不可欠です。我々は、工業生産現場で広く用いられている有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法において、そのようなヘテロ界面を原子のレベルで急峻に形成する方法を見いだしました。
研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください)		(1) ４室分離反応管の開発：　反応管を４室に分離し、対角の槽にAsおよびP原料を別々に供給する、基板回転機構を有した反応管を独自に開発しました。 (2) 成長シーケンスの開発：　GaInP/GaAs界面の原子分布に影響を与えない、特定の成長温度領域を独自に見いだしました。 その結果として、原子レベルで急峻なAs/P界面を得ることに成功しました。また、デバイス特性が飛躍的に向上することを確認しました。
新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に)		当該シーズはいずれも学術論文誌に投稿・受理され、その新規性および独自性に高い評価を得ています。
地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等)		ITS (Intelligent Transport Systems)を目指す自動車業界にとっては不可欠な技術要素であります。本シーズを用いると、たとえば、自動車衝突防止用レーダとして周波数80GHz近傍で動作する高周波デバイスを設計通りに作製することが可能となります。また、本シーズはAs/Pヘテロ界面以外の異種�X族ヘテロ界面（たとえば、N/As界面）にも容易に適用することができます。
実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等)		本シーズはITS技術を支える自動車業界はもちろんのこと、半導体エピメーカーや半導体デバイスメーカーにおいて、即座に実用可能な段階にあります。
関　　連 工業所有権	発明（考案）等の名称		発明者	出願人	外国出願
	"半導体素子及びその製造方法"		竹田美和、他２名	中部TLO	〔　〕有 　〔○〕無
	"多層薄膜製造装置"		竹田美和、他７名	（株）サムコインター ナショナル研究所	〔　〕有 　〔○〕無