シーズNo.　３５　

平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」

研究開発テーマ （シーズ）

原子スケールで制御された超平坦金属/半導体低抵抗コンタクト形成技術の開発

技術分野(該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎		研究段階（該当に○）
〔◎〕材料（No 02）、〔　〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No　　）、〔○〕情報通信（No14） 〔　〕機械（No　　）、 〔　〕 医療・福祉（No　　）、 〔　〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No　　） 〔　〕環境（No　　）、 〔　〕 その他（No　　）		基礎　 　　　 応用
			ａ	ｂ	ｃ	ｄ
				○
キーワード(５つ以内)	半導体、シリコン、薄膜、超大規模集積回路、ナノテクノロジー

提案者職名・氏名		所属機関名（学部・研究室名）
教授・財満鎭明		名古屋大学大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 結晶デバイス研究グループ
電　話	052-789-2752	Ｅ– mail	zaima@alice.xtal.nagoya-u.ac.jp
FAX	052-789-5592	ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ	http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/~zaima/

研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野）		次世代のシリコン超大規模集積回路作製のためには、ナノサイズで制御された極微細素子作製技術の確立が必要不可欠である。そのためには、素子電極における低コンタクト抵抗を有する極微細金属/シリコン接合形成技術の開発が重要な課題の一つとなる。本研究では、その基礎技術として、原子レベルで制御された超平坦金属/半導体低抵抗コンタクト形成を目指して、シリコン基板上への金属シリコン化合物（シリサイド）エピタキシャル薄膜形成法の開発を行っている。
研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください)		シリコン上あるいはシリコンゲルマニウム化合物上におけるニッケル及びコバルトシリサイド等のエピタキシャル成長技術開発を行っており、シリサイド膜の均一性、表面・界面平坦性、熱的耐性の向上とコンタクト抵抗低減を目指している。走査型トンネル顕微鏡及び高分解能透過電子顕微鏡等の原子分解能を持つ観察手段を用いて、シリサイド多結晶膜及びエピタキシャル膜の結晶構造解析を行っている。加えて、コンタクトの電気的特性も同時に評価し、金属/半導体接合に関する系統的な研究を推進している。
新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に)		シリコン及び金属元素に更に加えた第三元素（カーボン、ゲルマニウム、アルミニウム等）によって、シリサイド形成反応をダイナミック（動力学的）に制御することで、表面被覆率、平坦性及び熱的耐性のより向上したシリサイド膜形成法を実現した。また、シリコンゲルマニウム化合物を界面に挿入することによる、更なるコンタクト抵抗低減の可能性を提案している。更に、極薄エピタキシャル膜をテンプレート層とする二段階成長法の導入によって、実際の電極材として適用可能な被覆性及び膜厚を有するエピタキシャル薄膜膜形成に挑戦している。
地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等)		電子デバイス産業に向けて、超微細加工技術としての新しい半導体プロセス技術の提案を行っている。本技術によって、超平坦金属/半導体低抵抗コンタクトが実現可能となり、原子レベルに到達する究極のデバイス微細化を推進することが可能となる。更に本研究によって、原子スケールでの異種材料界面形成機構を解明し、将来のナノテクノロジー産業発展への基礎的知見を提供する。また、複数のシリサイドに関して得られた系統的な知見は、鉄シリサイド等の次世代の電子素子材料研究への活用が期待できる。
実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等)		共同研究の相手となる産業分野：電気・電子デバイス産業、半導体装置製造産業。 実用化への課題：シリサイド膜特性の更なる改善（表面平坦性、均一性の向上及び膜厚の増大）、製造工程への導入時の材料選定及び製造条件の最適化
関　　連 工業所有権	発明（考案）等の名称		発明者	出願人	外国出願
	コバルトシリサイド膜の作製方法、コバルトシリサイド膜、及び多層中間構造体 （特許出願2003-42521）		財満鎭明、 安田幸夫、 他2名	名古屋大学長	〔　〕有 〔○〕無

　注意事項：　�@ 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。

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　　　　　　 　　ので非公開情報の箇所は「非公開」と御記入下さい。