シーズNo.　３４

平成１６年度「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」

研究開発テーマ （シーズ）

レーザー蒸着法による積層複合膜作製技術の開発

技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎	研究段階（該当に○）
〔◎〕材料（No02）、 〔　〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No　　）、 〔○〕情報通信（No12） 〔　〕機械（No　　）、 〔　〕 医療・福祉（No　　）、 〔　〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No　　） 〔　〕環境（No　　）、 〔　〕 その他（No　　）	基礎　 　　　 応用
		ａ	ｂ	ｃ	ｄ
			○
キーワード(５つ以内)

提案者職名・氏名		所属機関名（学部・研究室名）
教授・財満　鎭明		名古屋大学工学研究科 結晶材料工学専攻 結晶デバイスグループ
電　話	052-789-2762	Ｅ– mail	zaima@alice.xtal.nagoya-u.ac.jp
FAX	052-789-5592	ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ	http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/

研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野）		次世代ULSIデバイスの開発には、新しい機能を持った材料が不可欠である。本研究では、次世代ULSIデバイスに要求される所望の特性を持つ多元材料の複合膜を効率良く探索するために、レーザー蒸着法による積層複合膜の作製技術を開発することを目的とする。
研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください)		ULSIの基本デバイスであるMOSFETのゲート絶縁膜に用いられているシリコン酸化膜は、MOSFETの微細化にとともに薄膜化限界に近づきつつあり、シリコン酸化膜に代わる酸化膜、すなわち高い誘電率を持ち、かつ、リーク電流が小さい特性を持つ酸化膜材料を開発する必要がある。 本研究では、我々の提案による手法によってレーザー蒸着法を用いてシリコン酸化膜に代わるゲート絶縁膜用積層複合膜の開発を行っている。この開発には複合膜の組成を任意に制御する必要がある。そのため、本手法では複数の材料ターゲットを真空装置内に準備し、これらの材料を交互に堆積し、個々の膜厚比によって複合膜の組成を制御する。
新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に)		本方法による積層複合膜の作製方法は、複合膜の組成比を任意に制御することができ、また、様々な材料の複合膜の作製が可能である。これによって、所望の新機能材料の探索が効率良く、短時間に行うことができる。
地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等)		この積層複合膜の作製方法は、広い分野での薄膜材料開発へ応用が期待でき、半導体産業中心とした各産業に貢献できる。
実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等)		共同研究の相手となる主な企業は、電気・電子機器メーカー、半導体製造機器メーカー等である。 実用化には、大口径シリコンウエハに一様に薄膜を作製する技術開発が必要である。
関　　連 工業所有権	発明（考案）等の名称		発明者	出願人	外国出願
	積層型ゲート酸化膜構造の製造方法		安田幸夫　他2名	名古屋大学長 松尾　稔	〔　〕有 　〔○〕無

　注意事項：　�@ 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。

　　　　　　　�A 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています

　　　　　　 　　ので非公開情報の箇所は「非公開」と御記入下さい。