　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　シーズNo

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　シーズNo.29

平成１５年度名古屋大学工学研究科「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」

研究開発テーマ

（シーズ）

高品質シリコン・ゲルマニウム・カーボン混晶薄膜形成法の開発

技術分野(該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎		研究段階（該当に○）
〔◎〕材料（No 02）、〔　〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No　　）、〔○〕情報通信（No14）〔　〕機械（No　　）、〔　〕医療・福祉（No　　）、〔　〕ｴﾈﾙｷﾞｰ（No　　）〔　〕環境（No　　）、〔　〕その他（No　　）		基礎　　　　応用
			ａ	ｂ	ｃ	ｄ
				○
キーワード(５つ以内)	シリコン、ゲルマニウム、薄膜、超大規模集積回路、ナノテクノロジー

提案者職名・氏名		所属機関名（学部・研究室名）
教授・安田幸夫		工学研究科・結晶材料工学専攻・結晶デバイス工学講座
電　話	052-789-3817	Ｅ– mail	yasuda@alice.xtal.nagoya-u.ac.jp
FAX	052-789-3818	ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ	http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/~yasuda/

研究開発の目的（研究の目的、最終的な事業化分野）		次世代のシリコン超大規模集積回路の性能向上の為に、従来のシリコンの性能を越える電子材料として、シリコン・ゲルマニウム混晶（SiGe）あるいはシリコン・ゲルマニウム・カーボン混晶（SiGeC）が注目されている。しかし、低欠陥で平坦かつ均一な薄膜の形成法及びカーボンの高濃度化などに課題が残されており、良質なエピタキシャル混晶膜の形成は実現していないのが現状である。原子レベルで制御された高品質なSiGeあるいはSiGeC薄膜形成法が確立すれば、より高速、高機能な電子デバイスの実現が期待される。
研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください)		提案者等は、SiGeあるいはSiGeCエピタキシャル混晶膜形成法の開発を進めている。その為に、走査トンネル顕微鏡、反射高速電子線回折法等を用いて、シリコン基板上のSiGe(C)結晶初期形成過程における原子分解能観察を行っている。近年、中間層としてゲルマニウムの極薄原子層を挿入することによって、SiGeCエピタキシャル薄膜中のカーボン濃度制御法の開発を推進している。
新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に)		提案者等の開発したゲルマニウム中間層を用いた高濃度カーボン含有SiGeCエピタキシャル混晶膜形成法は、シリコン・ゲルマニウム・カーボン相互の反応性の違いと結晶形成時の各原子の拡散過程に着目し、これを原子レベルで制御した画期的な手法である。本手法によって、従来法に比較して高濃度Cを含むSiGeCエピタキシャル膜形成が可能となった。更に、SiGeCエピタキシャル混晶膜成長過程の詳細解明に新しい手掛かりを与えることが期待できる。
地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等)		電子デバイス産業に対して、高品質なSiGeCエピタキシャル混晶膜形成法を提案し、次世代高速電子デバイスの基礎プロセス技術発展に貢献する。SiGeC混晶形成過程を原子レベルで解明することによって、超格子デバイスや機能性薄膜などの結晶成長を主とする他の極微細半導体プロセスに対して、技術的な知見を提供する。更に、本研究手法から得られた知見は、自己整合的な結晶成長法への応用によって、ナノサイズの極微細構造ならびに量子デバイス作製技術の開発に貢献することも期待される。
実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等)		関連産業分野：電気・電子デバイス産業、半導体装置産業、ナノテクノロジー産業実用化への課題：SiGeC混晶膜の厚膜化。各材料に応じた薄膜形成時における結晶成長過程の詳細解明。大面積成膜のための製造工程への対応。
関　　連工業所有権	発明（考案）等の名称		発明者	出願人	外国出願
	シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜（特許公開2002−289526号）		安田幸夫他3名	名古屋大学長	〔　〕有　〔○〕無

　注意事項：　① 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。

　　　　　　　② 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています

　　　　　　　　ので非公開情報の箇所は「非公開」と御記入下さい。

上記調査票を平成１５年度シーズ調査票に使用する是非につて

〔　〕良い　

〔○〕修正　

〔　〕掲載不可

テクノ・フェアへの出展希望

〔○〕する

〔　〕しない