シーズNo.32
平成１５年度名古屋大学工学研究科「産学官共同研究開発技術シーズ調査票」
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研究開発テーマ
（シーズ） |
半導体界面の構造や応力の制御による次世代半導体デバイスの創製 |
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技術分野（該当分野に○印を付け別表の該当番号を記入。複数の場合は主なものに◎ |
研究段階（該当に○） |
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〔○〕材料（No.
02 ）、 〔 〕ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（No ）、 〔 〕情報通信（No ） 〔 〕機械（No ）、 〔 〕 医療・福祉（No ）、 〔 〕 ｴﾈﾙｷﾞｰ（No ） 〔 〕環境（No ）、 〔 〕 その他（No ） |
基礎 応用 |
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ａ |
ｂ |
ｃ |
ｄ |
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○ |
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キーワード(５つ以内) |
半導体、ナノテクノロジー、界面、応力 |
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提案者職名・氏名 |
所属機関名（学部・研究室名） |
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助教授・秋本 晃一 |
工学研究科･量子工学専攻･量子基礎工学講座 |
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電 話 |
052-789-4464 |
Ｅ– mail |
akimoto@nucc.cc.nagoya-u.ac.jp |
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FAX |
052-789-3724 |
ﾎｰﾑﾍﾟｰｼﾞ |
http://www.surf.nuqe.nagoya-u.ac.jp/%7Eakimoto/ |
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研究開発の目的 （研究の目的、最終的な事業化分野） |
半導体の界面の構造や応力を解析、評価、制御し、光デバイス、パワーエレクトロニクスデバイス、超高集積メモリデバイス、太陽電池、強誘電体メモリデバイス等の製品の特性向上、長寿命化、高信頼性確保を図る。また次世代半導体デバイスの創製に資する。 |
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研究開発の内容（概要） (研究の内容・課題等を具体的に、必要に応じ資料を添付してください) |
絶縁膜と半導体、半導体と半導体等の界面について、シンクロトロン放射光を用いた、極端に非対称なＸ線回折法を用いて、界面の格子歪、応力を測定し、デバイス特性との対応を明らかにする。また、絶縁膜の構造をＸ線回折法により明らかにし、良好な絶縁膜形成に資する。 |
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新規性、独創性 (当該シーズの新規性・独創性・優位性等を具体的に) |
従来の方法に比べて、より高感度で高精度な測定ができる。実際Ｘ線を利用する実験手法は、最も微量な欠陥を検出できる方法の１つでもある。実験結果の解析法まで含め、解析法を確立し研究しているのは国内外で私たちだけである。 |
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地域経済への波及効果 (本研究によって期待される成果・効果、地域への貢献、産業界へのインパクト等) |
現に製造されている製品の信頼性確保に寄与する。また、新機能デバイスの開発のキーポイントとなる。 |
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実用化への見通し (共同研究の相手となる企業・業界、実用化までの期間等) |
私たちが未だ共同研究を行っていない材料やデバイスについて、3年程度。 |
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関 連 工業所有権 |
発明（考案）等の名称 |
発明者 |
出願人 |
外国出願 |
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〔 〕有 〔 〕無 |
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注意事項： ① 記入事項が多い場合は、縦方向に枠の大きさを広げて下さい。
② 掲載して頂く技術シーズはシーズ集・ホームページ等での公開を前提に記載していただいています
ので非公開情報の箇所は「非公開」と御記入下さい。